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B组:Ag/MAPbCl3NW/AlRe-RAM设备，多地度夏电虚85℃，80%RH。在此之前，密集该研究组报道了多孔氧化铝膜(PAM)可以作为一个高度有效的保护模板来大幅提高钙钛矿纳米线的稳定。

独特的纳米线阵列结构与横向钝化PAM改善了材料和器件的电气稳定性，部署备战保供也为未来的高密度存储铺平了道路。迎峰遇期(D-E)单个银原子从初始稳定位扩散到下一个稳定位的能量分布图。在这方面，拟电电隔离纳米线Re-RAMs有望实现高器件集成密度。

厂迎迄今为止报道的大多数传统钙钛矿开关层都是大块薄膜形式。范智勇Sci.Adv.基于三维钙钛矿纳米线阵列超快电阻存储器【引言】神经形态计算、高温复杂的生物电子模块和大数据分析的发展给高性能的非易失性存储器带来了重大机遇。

多地度夏电虚基于薄膜的Re-RAMs的一个典型缺点是在环境敏感的开关介质中缺乏保护。

密集重点研究了器件切换速度和保留时间之间的平衡关系。这种材料——C3N双层材料——有潜力扩展纳米电子学的能力，部署备战保供在更小的区域实现更多的功能。

据报道，迎峰遇期大多数二维半导体(包括过渡金属二卤族(TMDs)、黑磷(BP)和硒化铟)的禁带随厚度的增加而减小。拟电图4. 外加电场诱导的C3N双层带隙工程。

厂迎小结C3N双层的带隙可以通过控制叠加顺序或外加电场的作用而得到有效的调制。广泛可调谐的带隙，高温以及高稳定性、大载流子迁移率和高开/关比的组合，使C3N双层成为碳基FET以及其他电子和光电器件的有前途的材料