自那之后，金庸三星不断强调说VR是公司未来将要发展的重点业务。

因此，告诉掺杂被认为是改变光电极的光吸收和载流子传输能力的可行途径。光催化剂中暴露的不同小面显着影响其表面性质，厂卧如表面能，厂卧表面原子配位和表面电子能带结构，从而影响活性位点的数量，活性分子的吸收和光生载流子的氧化还原能力。

适用于PEC阳极的理想半导体应满足以下条件：中年i）半导体的VB应比O 2 /H 2 O氧化还原电位1.23V更正，而CB应当比H+/H2氧化还原电位0V更负（VS.RHE）。WO 3 /BiVO 4异质结是用于PEC水分解的有吸引力的结构，危机并且已经由许多组进行了研究。然而，金庸过量的氧空位，特别是表面氧空位，将捕获载流子并加剧电子-空穴复合。

主要从事低维半导体材料相关的微纳器件，告诉特别是能源转换与存储器件的应用基础研究。在照射下，厂卧能量大于半导体带隙的光子将被半导体吸收。

更重要的是，中年EIS可以在任何偏差下进行，而IMVS通常在开路条件下进行。

(b)WO3/W:BiVO4NWs、危机WO3NWs、W:BiVO4膜的电荷分离效率。共发表SCI论文170多篇、金庸已授权16项专利、撰写英文书1本，英文书的6个章节。

这些策略可以促进电极/电解质界面处的电荷转移，告诉提高法拉第效率并抑制有害副产物的产生。图六、厂卧a)WO3-ZnWO4-ZnO异质结界面的能带和载流子转移示意图。

中年材料的纳米结构提供了打破PEC光电极限制的新机会。此外，危机过氧物种的形成也导致低的析氧效率，这对PEC水分解是有害的。